Un grupo de investigación del Instituto Tecnológico de Massachusetts (MIT) han publicado el desarrollo de un nuevo tipo de transistor que permitirá mejorar la eficiencia de los sistemas electrónicos, como por ejemplo, el de los coches eléctricos.
Se trata del Nitruro de galio (GaN). Un material semiconductor que promete mejorar de forma importante la eficiencia de los coches eléctricos, donde se espera que reemplace al silicio en elementos como los cargadores y los inversores. Esta mejora según los investigadores será de entre un 10 y un 20% para 2025.
[blocktext align=»center»]Destacado: Proyecto para mejorar la eficiencia energética de los coches eléctricos[/blocktext]
Para el equipo del MIT, esta tecnología además de mejorar la eficiencia de procesos como la propia recarga, permitirá también eliminar algunos límites de potencia de los actuales coches eléctricos. Lo harán además mediante sistemas cada vez más pequeños y ligeros, que permitirán aumentar de forma importante las actuales autonomías.
Un nuevo ejemplo de que estamos en los albores de una tecnología que además de crecer en kWh, y de bajar sus precios, tiene por delante un reto de mejorar la eficiencia para conseguir tanto mejor autonomía, como mejores precios de los vehículos. Una evolución que vivirá su mayor salto adelante en los próximos 10 años.
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Vía | Indianexpress
